Transistor Mosfet STP28NM50N

2,984.73 IVA Incluido

Corriente de drenaje continua (ID) 21A
Tensión disruptiva de drenaje a fuente 500 V
Resistencia de drenaje a fuente 158 mΩ
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500 V
Configuración de elementos Soltero
Otoño 52 ns
Voltaje de puerta a fuente (Vgs) 25V
Capacitancia de entrada 1,735 nF
Temperatura máxima de funcionamiento 150 ºC
Disipación de potencia máxima 90W
Temperatura mínima de funcionamiento -55 ºC
Número de elementos 1
Disipación de potencia 90W
Rds en máx. 158 mΩ
Resistencia 158 mΩ
Hora de levantarse 19 ns
Horario B 8541290080
Voltaje de umbral 3 voltios
Tiempo de retardo de apagado 62 ns
Tiempo de retardo de encendido 13,6 ns

Disponibilidad: 2 disponibles

SKU: 2575 Categoría:

Ficha Técnica STP28NM50N

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