Ficha Técnica STP28NM50N
Componentes electrónicos
Transistor mosfet STP28NM50N TipoN 500V 21A
Corriente de drenaje continua (ID) | 21A |
Tensión disruptiva de drenaje a fuente | 500 V |
Resistencia de drenaje a fuente | 158 mΩ |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 500 V |
Configuración de elementos | Soltero |
Otoño | 52 ns |
Voltaje de puerta a fuente (Vgs) | 25V |
Capacitancia de entrada | 1,735 nF |
Temperatura máxima de funcionamiento | 150 ºC |
Disipación de potencia máxima | 90W |
Temperatura mínima de funcionamiento | -55 ºC |
Número de elementos | 1 |
Disipación de potencia | 90W |
Rds en máx. | 158 mΩ |
Resistencia | 158 mΩ |
Hora de levantarse | 19 ns |
Horario B | 8541290080 |
Voltaje de umbral | 3 voltios |
Tiempo de retardo de apagado | 62 ns |
Tiempo de retardo de encendido | 13,6 ns |
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