Ficha Técnica IPI60R099CP
Componentes electrónicos
Transistor Mosfet IPI60R099CP
| Número de elementos por chip | 1 |
| Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) | 600 |
| Voltaje máximo de fuente de puerta (V) | ±20 |
| Corriente de drenaje continua máxima (A) | 31 |
| Resistencia máxima de la fuente de drenaje (mOhm) | 99@10V |
| Carga típica de puerta @ Vgs (nC) | 60@10V |
| Carga típica de puerta a 10 V (nC) | 60 |
| Capacitancia de entrada típica @ Vds (pF) | 2800@100V |
| Disipación de potencia máxima (mW) | 255000 |
| Tiempo de caída típico (ns) | 5 |
| Tiempo de subida típico (ns) | 5 |
| Tiempo de retardo de apagado típico (ns) | 60 |
| Tiempo de retardo de encendido típico (ns) | 10 |
| Temperatura mínima de funcionamiento (°C) | -55 |
| Temperatura máxima de funcionamiento (°C) | 150 |
| embalaje | Tubo |
| Paquete de proveedor | TO-262 |
| Número de pines | 3 |
| Nombre del paquete estándar | I2PAK |
| Montaje | A través del orificio |
| Altura del paquete | 9.25 |
| Longitud del paquete | 10 |
| Ancho del paquete | 4.4 |
| PCB cambiado | 3 |
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