TYPICAL RDS(on) = 0.4Ω
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES
100% AVALANCHE TESTED
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE
CHARGE
LOW GATE INPUT RESISTANCE
Componentes electrónicos
P11NM60FDFP N-channel 600 V, 0.4 Ohm, 11 A Power Mosfet
Hoja de datos: P11NM60FDFP.pdf
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