• Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.36 Ω (typ.)
• High forward transfer admittance : ⎪Yfs⎪ = 7.0 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 600 V)
• Enhancement-mode: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Componentes electrónicos
K12A60U Mosfet N-Channel 600V 12A
Hoja de datos: K12A60U.pdf
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