Features
·Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤9.0mΩ
·Enhancement mode
·Fast Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
Componentes electrónicos
IRF640N N-Channel MOSFET Transistor
Hoja de datos IRF60N.pdf
Disponibilidad: 7 disponibles
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