Features:
• 10µs Short Circuit Capability.
• Square RBSOA.
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient
* Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology
Componentes electrónicos
GB15B60KD Insulated Gate Bipolar Transistor With Ultrafast Soft Recovery Diode
Hoja de datos: GB15B60KD.pdf
Disponibilidad: 3 disponibles
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