Features:
• 4.3A, 600V, RDS(on) = 1.0Ω @VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 29 nC)
• Low Crss ( typical 16 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
Componentes electrónicos
FQPF7N60 600V N-Channel MOSFET
Hoja de datos: FQPF7N60C.pdf
Disponibilidad: 1 disponibles
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