Features:
• RDS(on) = 0.041Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 26A
• Low gate charge ( Typ. 49nC)
• Low Crss ( Typ. 66pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improve dv/dt capability
Componentes electrónicos
FDP52N20 N-Channel MOSFET 200V, 52A
Hoja de datos: FDP52N20.pdf
Disponibilidad: 10 disponibles
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