Features:
* High Electrostatic-Discharge-Resistance.
ESDR: 1000V TYP. (E-B reverse bias, C=2300pF)
* Low Cre, High fT
Cre ≤3.0 pF (VCB=30V)
fT ≥50MHz (VCE=30V, IE=-10mA)
Componentes electrónicos
C2688 NPN Silicon Transistors
Hoja de datos: C2688.pdf
Disponibilidad: 1 disponibles
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