Features:
• Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
• Low input capacitance (Ciss)
• Reduced switching and conduction losses
• Ultra low gate charge (Qg)
• Avalanche energy rated (UIS)
Componentes electrónicos
4N60C N-Channel 650V Power MOSFET
Hoja de datos: 4N60C.pdf
Disponibilidad: 5 disponibles
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