Features:
Fast-recovery body diode
Lower RDS(on) x area vs previous generation
Low gate charge, input capacitance and
resistance
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
Componentes electrónicos
45N60D N-channel 600 V Power Mosfet
Hoja de datos: 45N60.pdf
Disponibilidad: 1 disponibles
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