Features:
• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.45 Ω (typ.)
• High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.0 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 500 V)
• Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Componentes electrónicos
K12A50D Silicon N Channel MOS Type
Hoja de datos: K12A50D.pdf
Disponibilidad: 1 disponibles
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